★ H桥中绝对不能出现同侧（左侧/右侧）的FET同时导通的情况，因为这样会导致电流不经过电机直接到地，(关注：硬件笔记本）形成短路！因此在状态切换时需要一步一步来，而集成H桥的芯片一般会在内部自动解决这个问题（利用死区控制），如下图所示：在正转和制动之间切换时，会有一个过渡状态（OFF）。 A4950是美国埃戈罗公司生产的一款单H桥电机驱动芯片。因此网上卖的模块多是使用两块芯片以达到可以控制两个直流电机的能力。 提供输入端子用于利用外部施加的PWM控制信号控制DC电机的速度和方向。提供内部同步整流控制电路以在PWM操作期间降低功耗。 通过引脚说明和功能框图可看出，此芯片不同之处有：★ 只有单H桥，因此引脚较少；★ 限流比较的参考电压由外部给出（VREF脚）；因此限流值Isense=Vref/10/Rsense。如上面的模块中，Vref接5V，Rsense为R250精密检测电阻（0.25Ω），因此限流值为2A。★ 当IN1和IN2均保持低电平1ms，芯片进入待机模式。而不是通过引脚直接控制。 此表可对直流电机进行简单的驱动与制动（此时电机工作于全速状态，无速度控制）。 以xIN1为PWM，xIN2为0为例，电机在正向转动模式与快衰减模式之间不断切换。 波形图类似如下：前面提到，电压的大小决定直流电机转速。从第三个图V12=Vout1-Vout2可看出，加在电机两端的电压变化随着PWM变化，则其平均值Vave=D*Vcc（D为PWM占空比，VCC为驱动电压）也随着占空比的增大而增大，从而速度也相应增加；反之则降低。 把上表归纳总结一下：1.当xIN中有一个恒为低电平，另一个为PWM时:采取正反转与滑动/快衰减，占空比越大，转速越快。2.当xIN中有一个恒为高电平，另一个为PWM时:采取正反转与制动/慢衰减，占空比越小，转速越快。 ★1.可通过两个H桥输出的并联控制一个直流电机，这样最大驱动电流可翻倍，这在芯片的数据手册中均有说明; ★4.选择集成H桥芯片时，需要考虑的参数有：可承受的工作电流要大于电机的堵转电流，防止堵转时驱动芯片烧毁；导通电阻尽可能小，减少芯片的发热损耗; ★5.A4950所能驱动的电流最大也就3.5A。对于一些堵转电流十几安的电机来说是远远不够的。此时常常采取电桥驱动+MOS管的方式自行搭建H桥。 |