金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“光掩膜板及其形成方法“,授权公告号CN112925164B,申请日期为2019年12月。 专利摘要显示,该发明涉及一种光掩膜板及其形成方法,能够改善使用光掩膜板进行光刻时,转印的图形边界模糊、不精准的情况,提高光刻工艺的生产加工良率。所述光掩膜板具有图案区域,包括:基板;形成于所述基板上表面的相移层;形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层,所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置,所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值;形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。 |