金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“光掩膜板及其形成方法“，授权公告号CN112925164B，申请日期为2019年12月。 专利摘要显示，该发明涉及一种光掩膜板及其形成方法，能够改善使用光掩膜板进行光刻时，转印的图形边界模糊、不精准的情况，提高光刻工艺的生产加工良率。所述光掩膜板具有图案区域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移层；形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。 |